產(chan)品簡介：

     REAL RTP100型快速(su)退火爐是韓(han)國ULTECH公司的一(yi)款4寸片快速退火爐(lu)，采用革新的(de)加(jia)熱技術，可實(shi)現真正的(de)基底(di)溫度測(ce)量，不需(xu)要采用傳(chuan)統快速退火爐(lu)的(de)溫度補償，溫度控制精確，溫度重復(fu)性(xing)高(gao)，客戶包括國(guo)際上許(xu)多半導體(ti)公司及知名(ming)科研(yan)團隊(dui)，是(shi)半導體(ti)制程(cheng)退火工藝的(de)理想選(xuan)擇。

n 技術特色：

- 真正(zheng)的基片(pian)溫(wen)度(du)測(ce)量(liang)，無(wu)需(xu)傳統的溫(wen)度(du)補(bu)償(chang)

- 紅外鹵素管燈加熱

- 極(ji)其優(you)異的加熱溫度精確性與(yu)均(jun)勻(yun)性

- 快速數(shu)字PID溫(wen)度控制

- 不銹鋼冷壁(bi)真空(kong)腔(qiang)室

- 系統穩定性好

- 結構緊湊，小型桌面(mian)系統

- 帶觸摸屏的PC控(kong)制

- 兼容常壓和真空環境，真空度標(biao)準值為(wei)5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至(zhi)5×10-6Torr

- 最高3路氣體（MFC控制）

- 沒有(you)交叉污染，沒有(you)金屬(shu)污染

n 技術介紹：

       如上圖，由(you)(you)陣列式鹵素燈輻射出熱(re)量經過(guo)石(shi)英窗口到達樣(yang)品(pin)表(biao)面，樣(yang)品(pin)被(bei)加熱(re)，傳(chuan)統的(de)快速退火爐采(cai)用熱(re)電偶(ou)進行測(ce)量基片溫(wen)度(du)，由(you)(you)于熱(re)電偶(ou)與基片有一定距離，測(ce)量的(de)不是基片真實(shi)的(de)溫(wen)度(du)，必須進行溫(wen)度(du)補償。

     REAL RTP100型快(kuai)速(su)退火爐采用(yong)專用(yong)的一根片狀的Real T/C KIT進行測(ce)溫，如(ru)上圖(tu)，熱電偶測(ce)溫儀與片狀Real T/C KIT相(xiang)連(lian)，工作(zuo)時片狀Real T/C KIT位于樣(yang)品(pin)上(shang)方很近(jin)的位置，陣列式鹵素燈輻射出熱(re)(re)量經(jing)過石(shi)英窗口到達樣(yang)品(pin)表面，樣(yang)品(pin)被加熱(re)(re)，片狀Real T/C KIT同時被加(jia)熱，由于(yu)基(ji)片與(yu)Real T/C KIT很(hen)近(jin)，它們之間也會進行熱量傳遞(di)，并很(hen)快(kuai)達到熱平衡，所以片狀(zhuang)Real T/C KIT測量的(de)溫度(du)就無限(xian)接近基(ji)(ji)片真(zhen)實的(de)溫度(du)，從(cong)而(er)實現基(ji)(ji)片溫度(du)的(de)真(zhen)實測量。

n 主要技術(shu)參數(shu)：

- 基片尺寸：4英(ying)寸(cun)

- 基(ji)(ji)片基(ji)(ji)座：石英針（可(ke)選配SiC涂層石墨）

- 溫度范(fan)圍：150-1250℃

- 加(jia)熱速率：10-200℃/S

- 溫度均勻性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)

 ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

- 溫度(du)控制精度(du)：≤ ±3℃

- 溫度(du)重復性：≤ ±3℃

- 真空度(du)：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

- 氣(qi)路(lu)供應：標準1路(lu)N2吹掃(sao)及冷卻氣路，由MFC控制（最多可選3路）

- 退火持續時間：≥35min@1250℃

- 溫度(du)控制：快速數字(zi)PID控制

- 尺(chi)寸：870mm*650mm*620mm

n基(ji)片(pian)類型：

- Silicon wafers硅片

- Compound semiconductor wafers化(hua)合物(wu)半導體基(ji)片

- GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍寶石(shi)基片

- Silicon carbide wafers碳化硅基(ji)片

- Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多(duo)晶硅基片

- Glass substrates玻璃基片

- Metals金屬

- Polymers聚合物

- Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座(zuo)

n應用領域：

    離子注(zhu)入(ru)/接觸退火，快速熱處理(RTP)，快速退(tui)火(RTA)，快(kuai)速熱氧化(hua)(RTO)，快速熱氮(dan)化(hua)(RTN)，可在真空、惰性(xing)氣(qi)氛、氧氣(qi)、氫(qing)氣(qi)、混合(he)氣(qi)等不同(tong)環境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化(hua)，低介電材料，晶體化(hua)，致密化(hua)，太陽能電池片鍵合等(deng)。