產(chan)品簡介:
REAL RTP100型快速(su)退火爐是韓(han)國ULTECH公司的一(yi)款4寸片快速退火爐(lu),采用革新的(de)加(jia)熱技術,可實(shi)現真正的(de)基底(di)溫度測(ce)量,不需(xu)要采用傳(chuan)統快速退火爐(lu)的(de)溫度補償,溫度控制精確,溫度重復(fu)性(xing)高(gao),客戶包括國(guo)際上許(xu)多半導體(ti)公司及知名(ming)科研(yan)團隊(dui),是(shi)半導體(ti)制程(cheng)退火工藝的(de)理想選(xuan)擇。
n 技術特色:
- 真正(zheng)的基片(pian)溫(wen)度(du)測(ce)量(liang),無(wu)需(xu)傳統的溫(wen)度(du)補(bu)償(chang)
- 紅外鹵素管燈加熱
- 極(ji)其優(you)異的加熱溫度精確性與(yu)均(jun)勻(yun)性
- 快速數(shu)字PID溫(wen)度控制
- 不銹鋼冷壁(bi)真空(kong)腔(qiang)室
- 系統穩定性好
- 結構緊湊,小型桌面(mian)系統
- 帶觸摸屏的PC控(kong)制
- 兼容常壓和真空環境,真空度標(biao)準值為(wei)5×10-3Torr,采用二級分子泵真空度低至(zhi)5×10-6Torr
- 最高3路氣體(MFC控制)
- 沒有(you)交叉污染,沒有(you)金屬(shu)污染
n 技術介紹:
如上圖,由(you)(you)陣列式鹵素燈輻射出熱(re)量經過(guo)石(shi)英窗口到達樣(yang)品(pin)表(biao)面,樣(yang)品(pin)被(bei)加熱(re),傳(chuan)統的(de)快速退火爐采(cai)用熱(re)電偶(ou)進行測(ce)量基片溫(wen)度(du),由(you)(you)于熱(re)電偶(ou)與基片有一定距離,測(ce)量的(de)不是基片真實(shi)的(de)溫(wen)度(du),必須進行溫(wen)度(du)補償。
REAL RTP100型快(kuai)速(su)退火爐采用(yong)專用(yong)的一根片狀的Real T/C KIT進行測(ce)溫,如(ru)上圖(tu),熱電偶測(ce)溫儀與片狀Real T/C KIT相(xiang)連(lian),工作(zuo)時片狀Real T/C KIT位于樣(yang)品(pin)上(shang)方很近(jin)的位置,陣列式鹵素燈輻射出熱(re)(re)量經(jing)過石(shi)英窗口到達樣(yang)品(pin)表面,樣(yang)品(pin)被加熱(re)(re),片狀Real T/C KIT同時被加(jia)熱,由于(yu)基(ji)片與(yu)Real T/C KIT很(hen)近(jin),它們之間也會進行熱量傳遞(di),并很(hen)快(kuai)達到熱平衡,所以片狀(zhuang)Real T/C KIT測量的(de)溫度(du)就無限(xian)接近基(ji)(ji)片真(zhen)實的(de)溫度(du),從(cong)而(er)實現基(ji)(ji)片溫度(du)的(de)真(zhen)實測量。
n 主要技術(shu)參數(shu):
- 基片尺寸:4英(ying)寸(cun)
- 基(ji)(ji)片基(ji)(ji)座:石英針(可(ke)選配SiC涂層石墨)
- 溫度范(fan)圍:150-1250℃
- 加(jia)熱速率:10-200℃/S
- 溫度均勻性:≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)
≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)
- 溫度(du)控制精度(du):≤ ±3℃
- 溫度(du)重復性:≤ ±3℃
- 真空度(du):5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr
- 氣(qi)路(lu)供應:標準1路(lu)N2吹掃(sao)及冷卻氣路,由MFC控制(最多可選3路)
- 退火持續時間:≥35min@1250℃
- 溫度(du)控制:快速數字(zi)PID控制
- 尺(chi)寸:870mm*650mm*620mm
n基(ji)片(pian)類型:
- Silicon wafers硅片
- Compound semiconductor wafers化(hua)合物(wu)半導體基(ji)片
- GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍寶石(shi)基片
- Silicon carbide wafers碳化硅基(ji)片
- Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多(duo)晶硅基片
- Glass substrates玻璃基片
- Metals金屬
- Polymers聚合物
- Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座(zuo)
n應用領域:
離子注(zhu)入(ru)/接觸退火,快速熱處理(RTP),快速退(tui)火(RTA),快(kuai)速熱氧化(hua)(RTO),快速熱氮(dan)化(hua)(RTN),可在真空、惰性(xing)氣(qi)氛、氧氣(qi)、氫(qing)氣(qi)、混合(he)氣(qi)等不同(tong)環境下使用,SiAu, SiAl, SiMo合金化(hua),低介電材料,晶體化(hua),致密化(hua),太陽能電池片鍵合等(deng)。
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