產品簡介：

     REAL RTP100型快速退火爐是(shi)韓國ULTECH公(gong)司的(de)一(yi)款(kuan)4寸片快速(su)退火(huo)(huo)爐，采(cai)用革新的(de)加(jia)熱技術(shu)，可實現真(zhen)正的(de)基底溫度(du)測量(liang)，不需要采(cai)用傳統快速(su)退火(huo)(huo)爐的(de)溫度(du)補償，溫度(du)控制(zhi)精確，溫度(du)重復性高，客(ke)戶包括(kuo)國際上許多半導體公司及知名科研團隊，是半導體制(zhi)程退火(huo)(huo)工藝的(de)理(li)想選擇(ze)。

n 技術特(te)色：

- 真正的(de)基(ji)片溫度測量，無(wu)需傳統的(de)溫度補償(chang)

- 紅外鹵素管燈加熱

- 極其優異的加熱(re)溫度精確性(xing)與均(jun)勻性(xing)

- 快速(su)數(shu)字(zi)PID溫度控制

- 不銹鋼冷壁真空腔室

- 系統穩定性好

- 結構(gou)緊(jin)湊，小型(xing)桌面系統

- 帶觸(chu)摸屏的PC控制

- 兼容常壓和真(zhen)空(kong)環(huan)境，真(zhen)空(kong)度標準值為5×10-3Torr，采用二(er)級分子泵真空度低(di)至5×10-6Torr

- 最高3路(lu)氣體(ti)（MFC控制）

- 沒(mei)有交叉污染(ran)(ran)，沒(mei)有金屬污染(ran)(ran)

n 技術介(jie)紹(shao)：

       如(ru)上(shang)圖，由(you)陣列式鹵素燈輻射(she)出熱(re)量(liang)(liang)經(jing)過石英窗口到(dao)達樣品表(biao)面，樣品被加熱(re)，傳(chuan)統的快速退(tui)火爐采用熱(re)電偶進行測(ce)(ce)量(liang)(liang)基(ji)片(pian)溫(wen)度，由(you)于(yu)熱(re)電偶與基(ji)片(pian)有一定(ding)距離，測(ce)(ce)量(liang)(liang)的不是基(ji)片(pian)真(zhen)實的溫(wen)度，必須進行溫(wen)度補償。

     REAL RTP100型快速退火爐采用(yong)專用(yong)的(de)一(yi)根片狀的(de)Real T/C KIT進(jin)行測(ce)溫(wen)，如上(shang)圖，熱電偶測(ce)溫(wen)儀與片狀Real T/C KIT相連，工作(zuo)時片狀(zhuang)Real T/C KIT位(wei)于(yu)樣品(pin)上方很近的位(wei)置(zhi)，陣列式鹵素燈(deng)輻(fu)射出熱(re)量(liang)經過石英窗口到達樣品(pin)表面(mian)，樣品(pin)被加熱(re)，片狀(zhuang)Real T/C KIT同時被(bei)加熱，由(you)于基片與Real T/C KIT很近，它們之間也(ye)會進行熱(re)量傳遞，并(bing)很快達到熱(re)平衡，所以(yi)片狀(zhuang)Real T/C KIT測(ce)量(liang)的(de)溫度(du)就(jiu)無限(xian)接近基(ji)片(pian)真實的(de)溫度(du)，從而實現(xian)基(ji)片(pian)溫度(du)的(de)真實測(ce)量(liang)。

n 主要技術參數：

- 基(ji)片尺寸(cun)：4英(ying)寸

- 基片基座(zuo)：石英針(zhen)（可選配SiC涂層石墨(mo)）

- 溫度范(fan)圍：150-1250℃

- 加熱速率：10-200℃/S

- 溫度均勻(yun)性(xing)：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)

 ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

- 溫度控制精度：≤ ±3℃

- 溫度重(zhong)復性：≤ ±3℃

- 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

- 氣路供(gong)應：標準1路N2吹掃(sao)及冷卻(que)氣(qi)路，由MFC控制（最多可選(xuan)3路）

- 退(tui)火持續時(shi)間：≥35min@1250℃

- 溫度控制：快速數字PID控制

- 尺(chi)寸：870mm*650mm*620mm

n基(ji)片類型(xing)：

- Silicon wafers硅片

- Compound semiconductor wafers化合物半導體基(ji)片

- GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的(de)GaN/藍寶(bao)石基片

- Silicon carbide wafers碳化(hua)硅基片

- Poly silicon wafers for solar cells用于太(tai)陽能電池的(de)多晶硅基片(pian)

- Glass substrates玻璃(li)基片

- Metals金屬

- Polymers聚(ju)合物

- Graphite and silicon carbide susceptors石墨(mo)和鍍碳化硅的(de)石墨(mo)基座

n應用領(ling)域：

    離子注入(ru)/接(jie)觸退火，快速熱(re)處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮(dan)化(RTN)，可在真空、惰(duo)性氣氛、氧氣、氫氣、混(hun)合氣等不同環境下使(shi)用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介電材料，晶(jing)體化，致密(mi)化，太陽(yang)能電池片鍵合等(deng)。