產品簡介：

     REAL RTP100型(xing)快速退(tui)火爐(lu)是韓國ULTECH公司的一款(kuan)4寸片快速(su)退火(huo)爐，采用革新的加熱技術，可實現真正的基底溫度測量，不需要采用傳統快速(su)退火(huo)爐的溫度補償(chang)，溫度控制精確，溫度重(zhong)復(fu)性高，客戶包括國際上許多半導(dao)(dao)體(ti)(ti)公司(si)及知名科研團隊，是半導(dao)(dao)體(ti)(ti)制程退火(huo)工(gong)藝的理想選(xuan)擇。

n 技術特色(se)：

- 真正(zheng)的基片(pian)溫度(du)測(ce)量，無需傳統的溫度(du)補償

- 紅外鹵素管燈加(jia)熱

- 極其(qi)優異的加熱(re)溫(wen)度(du)精確性與(yu)均(jun)勻性

- 快速數字(zi)PID溫度控制

- 不銹鋼(gang)冷壁真空腔室

- 系統穩(wen)定性好

- 結構緊湊，小(xiao)型桌面系(xi)統

- 帶觸摸屏(ping)的PC控制

- 兼容(rong)常(chang)壓(ya)和真空環境，真空度標準值為(wei)5×10-3Torr，采用二級分子(zi)泵真空度低至5×10-6Torr

- 最高3路氣體（MFC控制(zhi)）

- 沒(mei)有交(jiao)叉污染，沒(mei)有金屬污染

n 技術介紹(shao)：

       如上(shang)圖，由陣列(lie)式鹵素燈(deng)輻(fu)射出熱量經過石(shi)英窗口到(dao)達(da)樣品表(biao)面，樣品被加熱，傳(chuan)統的(de)(de)快速退火爐(lu)采用熱電偶(ou)進行測(ce)量基(ji)(ji)片(pian)(pian)溫度，由于熱電偶(ou)與基(ji)(ji)片(pian)(pian)有一(yi)定距離(li)，測(ce)量的(de)(de)不是(shi)基(ji)(ji)片(pian)(pian)真(zhen)實的(de)(de)溫度，必(bi)須進行溫度補償。

     REAL RTP100型快速退火爐采(cai)用專用的(de)一根片狀的(de)Real T/C KIT進(jin)行測溫(wen)，如(ru)上圖，熱電(dian)偶(ou)測溫(wen)儀與片(pian)狀(zhuang)Real T/C KIT相連，工(gong)作時(shi)片(pian)狀Real T/C KIT位(wei)(wei)于樣品上方很近的位(wei)(wei)置(zhi)，陣(zhen)列式鹵素燈輻射出熱量經過石英(ying)窗口到達樣品表面，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同(tong)時被加熱(re)，由于基(ji)片與(yu)Real T/C KIT很(hen)近，它(ta)們(men)之間也會進行熱(re)量傳(chuan)遞，并(bing)很(hen)快達到熱(re)平衡，所以片狀Real T/C KIT測量的(de)溫(wen)度(du)就無(wu)限接近基(ji)片(pian)真實的(de)溫(wen)度(du)，從而實現基(ji)片(pian)溫(wen)度(du)的(de)真實測量。

n 主要技術參數(shu)：

- 基片尺寸：4英寸

- 基片基座：石(shi)英針(zhen)（可選配SiC涂層石墨）

- 溫(wen)度范圍：150-1250℃

- 加熱速率：10-200℃/S

- 溫度均勻性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)

 ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

- 溫度(du)控制精(jing)度(du)：≤ ±3℃

- 溫度重復性：≤ ±3℃

- 真(zhen)空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

- 氣路供應：標準1路N2吹掃及(ji)冷卻氣路，由MFC控制(zhi)（最多(duo)可選3路）

- 退(tui)火持(chi)續時間：≥35min@1250℃

- 溫度控(kong)制：快速(su)數字PID控制

- 尺寸(cun)：870mm*650mm*620mm

n基片(pian)類型：

- Silicon wafers硅片

- Compound semiconductor wafers化(hua)合物半導體基片(pian)

- GaN/Sapphire wafers for LEDs 用(yong)于LED的GaN/藍寶石基片(pian)

- Silicon carbide wafers碳(tan)化硅基(ji)片

- Poly silicon wafers for solar cells用(yong)于太陽能(neng)電(dian)池的多晶硅基片

- Glass substrates玻璃基片

- Metals金屬

- Polymers聚合(he)物

- Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍(du)碳(tan)化硅的石墨基座

n應用(yong)領域：

    離子(zi)注入(ru)/接(jie)觸退(tui)火，快(kuai)速熱處(chu)理(RTP)，快(kuai)速(su)退火(huo)(RTA)，快(kuai)速熱(re)氧化(RTO)，快速熱氮(dan)化(RTN)，可(ke)在真空、惰性氣(qi)氛、氧氣(qi)、氫氣(qi)、混合氣(qi)等不同環境(jing)下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金(jin)化(hua)，低介電材料，晶體化(hua)，致(zhi)密化(hua)，太陽能電池(chi)片鍵合等。