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薄膜半導體材料制備系統

  • MBE 系統
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MBE 系統MBE 系統MBE 系統MBE 系統

MBE 系統

MBE系統

帶快速進樣(yang)室的獨立 MBE 系統

  • 本底真空優于2x10-10mbar
  • 4 軸操縱器,可直接連接電子光束加熱至 1200 °C 和 液氮LN2冷卻
  • Load-Lock進樣室與線性傳輸桿,使樣品夾具傳輸方便。最多可存儲6個樣品夾具。
  • 沉積室包含用于 RHEED 槍、離子槍、光束通量監視器、石英晶體天平等的端口。
  • 可更換底部法蘭,帶專用起重推車
  • 沉積室中可防止交叉污染

樣品沉(chen)積(ji)室配備了用于分析儀器等的其他端(duan)口。

根(gen)據蒸發源的(de)(de)類型和(he)數量以及(ji)基板大小,可(ke)提供不(bu)同的(de)(de)標(biao)準襯底尺(chi)寸(cun):直徑300mm、直徑450mm 和(he) 直徑570mm(根(gen)據要求的(de)(de)其他尺(chi)寸(cun))。





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