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薄膜半導體材料制備系統

  • MBE 系統
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MBE 系統MBE 系統MBE 系統MBE 系統

MBE 系統

MBE系統

帶快速進樣室的獨立 MBE 系統

  • 本底真空優于2x10-10mbar
  • 4 軸操縱器,可直接連接電子光束加熱至 1200 °C 和 液氮LN2冷卻
  • Load-Lock進樣室與線性傳輸桿,使樣品夾具傳輸方便。最多可存儲6個樣品夾具。
  • 沉積室包含用于 RHEED 槍、離子槍、光束通量監視器、石英晶體天平等的端口。
  • 可更換底部法蘭,帶專用起重推車
  • 沉積室中可防止交叉污染

樣品沉積(ji)室配(pei)備(bei)了(le)用于分(fen)析儀器等的其他端(duan)口。

根據蒸(zheng)發(fa)源的(de)類型和(he)數(shu)量以及(ji)基板(ban)大(da)小(xiao),可提(ti)供(gong)不同的(de)標(biao)準襯(chen)底(di)尺(chi)寸(cun):直(zhi)(zhi)徑(jing)300mm、直(zhi)(zhi)徑(jing)450mm 和(he) 直(zhi)(zhi)徑(jing)570mm(根據要求的(de)其他尺(chi)寸(cun))。





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