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薄膜半導體材料制備系統

  • MBE 系統
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MBE 系統MBE 系統MBE 系統MBE 系統

MBE 系統

MBE系統

帶快速進(jin)樣室的獨立 MBE 系統

  • 本底真空優于2x10-10mbar
  • 4 軸操縱器,可直接連接電子光束加熱至 1200 °C 和 液氮LN2冷卻
  • Load-Lock進樣室與線性傳輸桿,使樣品夾具傳輸方便。最多可存儲6個樣品夾具。
  • 沉積室包含用于 RHEED 槍、離子槍、光束通量監視器、石英晶體天平等的端口。
  • 可更換底部法蘭,帶專用起重推車
  • 沉積室中可防止交叉污染

樣品(pin)沉積室配備(bei)了(le)用于分(fen)析儀(yi)器等的其(qi)他端口(kou)。

根據(ju)(ju)蒸發源的(de)類型和數量以及基板大小,可提供不同的(de)標準襯底尺寸:直(zhi)(zhi)徑300mm、直(zhi)(zhi)徑450mm 和 直(zhi)(zhi)徑570mm(根據(ju)(ju)要求的(de)其(qi)他尺寸)。





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