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薄膜半導體材料制備系統

  • 脈沖激光沉積系統
脈沖激光沉積系統

脈沖激光沉積系統

脈沖激光沉積系統
(Pulse Laser Deposition System)
原產國:美國
PLD脈沖激光沉積系統介紹:
PLD是將脈沖激光透過合成石英窗導入真空腔內照射到成膜靶上,靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態,然后被堆積到設在對面的基板上而成膜。PLD方法可以獲得擁有熱力學理論上準穩定狀態的組成和構造的人工合成新材料。


我們PLD系統擁有最好的性能價比,具體技術參數配置:
1.靶: 數量6個,大小1-2英寸,被激光照射時可自動旋轉,靶的選擇可通過步進電機控制;
2.基板:采用適合于氧氣環境鉑金加熱片,大小2英寸,加熱溫度可達1200攝氏度,溫度差<3%,加熱時基板可旋轉,工作環境最大壓力是300mtorr;
3.基板加熱電源,最高到1200度;
4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質,內表面電解拋光,本底真空度<5e-8 pa;
5.樣品搬運室:不銹鋼sus304材質,內表面電解拋光,本底真空度<5e-5 pa;
6.排氣系統:分子泵和干式機械泵;
7.閥門: 采用超高真空擋板閥;
8.真空檢測:真空計;
9.氣路兩套: 采用氣體流量計控制;
10.薄膜生長監控系統: 采用掃描型差分RHEED;
11.監控軟件系統:基板溫度的監控和設定,基板和靶的旋轉,靶的更換等;
12.各種電流導入及測溫端子;
13.其它各種構造:各種超高真空位移臺,磁力傳輸桿,超高真空法蘭,超高真空密封墊圈,超高真空用波紋管等;

用戶用最少的錢買到研究級高性能的純進口PLD系統。

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