俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統
俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統，又稱俄歇電子能譜AES及低能電子衍射LEED樣品表面深度分析系統。基于俄歇電子能譜AES、低能電子衍射LEED、及氬離子濺射深度分布的分析系統，完成對薄膜及合金的元素組成和深度分布的分析。
非接觸式測量薄膜及合金元素組成。
帶樣品預抽真空室 （load-lock腔室）。

特性：
-對原子結構，元素組成和厚度分析達到“亞納米級”精度
-大范圍樣品分析
-半自動化操作


系統特性
俄歇電子能譜AES分析器
分析器型號-延遲型區域分析器，自帶同軸電子槍
能量分辨率：<5%
工作距離 10mm
檢測器: 1e7至1e8增幅范圍的電子倍增器通道
安裝法蘭-4.5英寸O.D.標準CF法蘭（NW63CF)

電子槍：
型號 ：帶可調焦距和束斑直徑的雙靜電透鏡
束流電壓：0-3KV
束流電流：最大50uA
束流直徑：最大800um
燈絲：鎢燈絲
磁罩：帶前置保護殼的Mu罩

深度離子濺射槍
離子源  在磁場內電子沖擊形成離子
離子化陰極  鎢-錸燈絲
直接安裝于70mmO.D.CF法蘭
束流電流：最大10 uA
束流能量：0-3keV
束流尺寸;直徑范圍5至25mm
束流均勻度：<5%
氣體輸入：經過泄漏閥氣體直接輸入至離子源
安裝法蘭：23/4英寸（70mm）O.D.CF法蘭

樣品傳遞操作
樣品尺寸：尺寸從10mm-20mm
樣品置入：單個樣品置入
樣品傳輸：線型磁動樣品傳輸臂

真空系統
腔體：100mm焊接超高真空腔體（304不銹鋼）
真空泵：60L/sec離子泵和50l/sec的分子泵，配備匹配的前級泵
真空規：寬量程真空規

真空兼容：超高真空材料
烘烤：真空下可最高烘烤至250度