飛行時間二次(ci)離子(zi)質譜(pu)

飛行時(shi)間二(er)次離子質譜（TOF-SIMS)是一種非常靈(ling)敏的(de)表面(mian)分析(xi)技術。可(ke)以廣泛應用于物(wu)理，化學，微(wei)電子，生物(wu)，制藥，空間分析(xi)等(deng)工業和研究方面(mian)。TOF-SIMS可(ke)以提(ti)供表面(mian)，薄膜(mo)，界面(mian)以至于三維樣品的(de)元素，分子等(deng)結構信息。

技術參(can)數：
. 并(bing)行(xing)探(tan)測所有(you)離子，包(bao)括有(you)機(ji)和無機(ji)分子碎(sui)片。
. 無限的質量探(tan)測(ce)范(fan)圍（實際測(ce)量中大于1000m/z 原(yuan)子量單位）。
. 完全(quan)透過率下實現高(gao)的質量(liang)分(fen)辨(bian)率。
. 極高的橫向(xiang)和縱(zong)向(xiang)空間分辨率（橫向(xiang)小于100納米(mi)，縱(zong)向(xiang)小于1納米(mi)）。
. 探(tan)測靈(ling)敏度可達ppm或ppb量級。
. 質量(liang)探測分辨(bian)率(lv)(M/ΔM) >1000
. 質量探測準(zhun)確度(du) ≥20 milli 質量單位
. 反射性分析器
. 5 分鐘樣品腔真空度可(ke)從(cong)大氣環境(jing)達(da)到(dao)真空工(gong)作(zuo)環境(jing)