Mask Aligner

TSV / Through Silicon Via

Product description: Through Silicon Via
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硅穿孔工藝設備(bei)
硅穿孔(TSV/Through Silicon Via)：通過芯片和芯片之間，晶圓和晶圓之間制作垂直導通，實現芯片之間互連的最新技術。能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大，芯片之間的互連線最短，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，使目前電子封裝技術中最引人注目的新技術。
特(te)點：
1.縮小封裝尺(chi)寸。
2.高頻特性出(chu)色，減少傳輸延(yan)時的一種技(ji)術。
3.降低(di)芯片(pian)功耗(hao)，TSV可將硅鍺芯片(pian)的(de)功耗(hao)降低(di)約40%。
4.熱(re)膨脹可靠性高。

產(chan)品特點：
應用范(fan)圍：TSV工藝
晶圓尺寸(cun)：6英(ying)寸(cun)，8英(ying)寸(cun)，12英(ying)寸(cun)
工(gong)藝流程(cheng)：Insulation, Barrier,Cu seed/fill/Prewet, Anneal
工藝(yi)特(te)型(xing)：單晶圓面向上濕法工藝(yi)
薄膜沉積：Electrografting(eG) and Chemicalgrafting(cG) deposition
反(fan)應物管路：CDS（ Chemistry Delivery System)
系(xi)統參數：單晶(jing)圓腔體工藝（手動(dong)，半自動(dong)）
多腔體工藝(yi)（自動）
--EFEM/FOUP(Robot/Pre-aligner)
--Transfer Robot
--Process cell
--Control unit
--Electric unit
--Chemical supply unit
--CDS

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