等離子體增強化學氣(qi)相沉(chen)積系統(tong)

PECVD：是(shi)借助微波或射頻等(deng)使含有(you)薄膜組成(cheng)原子(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)氣體(ti)電離，在(zai)局部形成(cheng)等(deng)離子(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)，而等(deng)離子(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)化(hua)學(xue)活性很(hen)強(qiang)，很(hen)容(rong)易(yi)發(fa)生(sheng)反(fan)(fan)應(ying)，在(zai)基(ji)片上沉(chen)積出所(suo)期望(wang)的(de)薄膜。為(wei)了(le)使化(hua)學(xue)反(fan)(fan)應(ying)能(neng)在(zai)較低的(de)溫度下進行，利用了(le)等(deng)離子(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)的(de)活性來促進反(fan)(fan)應(ying)，因而這種CVD稱為(wei)等(deng)離子(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)增強(qiang)化(hua)學(xue)氣相沉(chen)積(PECVD).
我司按照客戶不(bu)同的(de)應用需(xu)求，提供高質量的(de)PECVD滿足不(bu)同的(de)研(yan)究生產需(xu)求。
我司提供的PECVD系統可以(yi)沉(chen)積高質量SiO2薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)、Si3N4薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)、類金剛(gang)石薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)、硬質薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)、光學薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)等。最大沉(chen)積尺寸(cun)為12英寸(cun)。
通常選用(yong)射頻(pin)淋浴(yu)源(RF)或帶有不規則氣體分布的空心(xin)陰極射頻(pin)等離子體源作為反應(ying)源產生(sheng)等粒(li)子體。
部分PECVD可以升級到PECVD & 反(fan)應離子蝕刻雙功能系統(帶ICP源)。

系統參(can)數：
腔(qiang)體極(ji)限真(zhen)空(kong)度:10-7 torr；
等(deng)粒子源: 射頻淋(lin)浴源（RF）、空(kong)心(xin)陰(yin)極(ji)高(gao)密度等(deng)離(li)子體(ti)源（HCD）、感(gan)應(ying)耦合等(deng)離(li)子體(ti)源(ICP)或微波等(deng)離(li)子體(ti)源, VHF（甚高(gao)頻）電源
襯體直徑(jing):最大(da)12” (300 mm)直徑(jing)
帶RF偏壓的襯底托；
加熱溫度:最高800°C；
最高可達8路MFC和多樣化(hua)的氣體選擇；
均勻(yun)性：≤±3%；
預抽真(zhen)空(kong)室(shi)和自(zi)動晶片裝卸(xie)門；
全自(zi)動(dong)控制；

應用領域：
等離子誘(you)導表(biao)面改性；
等(deng)離子清洗；
等離子聚合；
SiO2, Si3N4, DLC及其(qi)它薄膜；
碳納米管(CNT)的選(xuan)擇性(xing)生長。