等離子體增(zeng)強化學氣相沉積系統(tong)

PECVD：是借助微波或射頻等(deng)(deng)使含有薄(bo)膜(mo)組成(cheng)原(yuan)子(zi)(zi)的(de)氣(qi)體電離，在(zai)局部形成(cheng)等(deng)(deng)離子(zi)(zi)體，而等(deng)(deng)離子(zi)(zi)體化(hua)學(xue)活性很強(qiang)，很容易發生反應，在(zai)基(ji)片上沉積出所期望的(de)薄(bo)膜(mo)。為了使化(hua)學(xue)反應能在(zai)較(jiao)低(di)的(de)溫度下(xia)進(jin)行(xing)，利用了等(deng)(deng)離子(zi)(zi)體的(de)活性來(lai)促(cu)進(jin)反應，因(yin)而這種CVD稱為等(deng)(deng)離子(zi)(zi)體增強(qiang)化(hua)學(xue)氣(qi)相沉積(PECVD).
我司按照(zhao)客戶不(bu)同(tong)(tong)的(de)應(ying)用需求，提供高質(zhi)量的(de)PECVD滿足不(bu)同(tong)(tong)的(de)研究(jiu)生(sheng)產(chan)需求。
我司提供的PECVD系(xi)統可以(yi)沉積高質量(liang)SiO2薄(bo)膜(mo)(mo)、Si3N4薄(bo)膜(mo)(mo)、類金(jin)剛石(shi)薄(bo)膜(mo)(mo)、硬質薄(bo)膜(mo)(mo)、光學(xue)薄(bo)膜(mo)(mo)等(deng)。最大沉積尺寸(cun)為12英(ying)寸(cun)。
通常(chang)選用(yong)射頻(pin)淋浴源(RF)或帶有不規則氣體分布的空心(xin)陰(yin)極射頻(pin)等(deng)離(li)子(zi)體源作(zuo)為(wei)反應源產生等(deng)粒(li)子(zi)體。
部分PECVD可以升級到PECVD & 反應離子蝕刻雙功(gong)能系統(帶ICP源)。

系統參數：
腔體極(ji)限真空(kong)度:10-7 torr；
等粒子源(yuan): 射頻淋浴(yu)源(yuan)（RF）、空(kong)心陰(yin)極高密(mi)度等離(li)子體(ti)源(yuan)（HCD）、感應耦(ou)合等離(li)子體(ti)源(yuan)(ICP)或(huo)微波等離(li)子體(ti)源(yuan), VHF（甚(shen)高頻）電源(yuan)
襯體直徑(jing):最大12” (300 mm)直徑(jing)
帶RF偏(pian)壓的襯(chen)底托；
加熱溫度:最高800°C；
最高可達(da)8路MFC和多樣化的氣體選(xuan)擇；
均勻性：≤±3%；
預抽(chou)真(zhen)空室和自(zi)動晶片裝卸門；
全自動控制；

應用領(ling)域(yu)：
等離(li)子誘(you)導表(biao)面改(gai)性；
等離子清(qing)洗；
等(deng)離子聚(ju)合；
SiO2, Si3N4, DLC及其它薄(bo)膜；
碳納米管(CNT)的選擇性(xing)生長。