等離子(zi)體(ti)增(zeng)強化(hua)學氣相沉積系統

PECVD：是借助微波(bo)或射頻等使含有薄膜組成原子(zi)(zi)(zi)的氣體(ti)電離(li)，在局部形成等離(li)子(zi)(zi)(zi)體(ti)，而等離(li)子(zi)(zi)(zi)體(ti)化學活(huo)性(xing)很(hen)(hen)強(qiang)，很(hen)(hen)容易發(fa)生反(fan)應(ying)(ying)，在基片上沉(chen)積出所期(qi)望的薄膜。為了(le)使化學反(fan)應(ying)(ying)能在較低的溫度(du)下進行，利用了(le)等離(li)子(zi)(zi)(zi)體(ti)的活(huo)性(xing)來促進反(fan)應(ying)(ying)，因而這種CVD稱為等離(li)子(zi)(zi)(zi)體(ti)增強(qiang)化學氣相沉(chen)積(PECVD).
我司按(an)照客戶不(bu)同(tong)的應(ying)用需(xu)求，提供高質量的PECVD滿足不(bu)同(tong)的研究生產需(xu)求。
我司提供(gong)的PECVD系(xi)統(tong)可以(yi)沉積高(gao)質量SiO2薄(bo)(bo)膜(mo)、Si3N4薄(bo)(bo)膜(mo)、類金剛(gang)石薄(bo)(bo)膜(mo)、硬質薄(bo)(bo)膜(mo)、光學薄(bo)(bo)膜(mo)等。最(zui)大沉積尺(chi)寸為12英(ying)寸。
通常選用射頻淋(lin)浴源(yuan)(RF)或(huo)帶有不規則氣體分布的空(kong)心陰極射頻等離子體源(yuan)作(zuo)為反應源(yuan)產生(sheng)等粒(li)子體。
部分(fen)PECVD可以(yi)升級到PECVD & 反應離子(zi)蝕刻(ke)雙功能系統(帶ICP源)。

系統參數：
腔(qiang)體極(ji)限真(zhen)空(kong)度:10-7 torr；
等粒子(zi)源(yuan): 射(she)頻(pin)(pin)淋浴源(yuan)（RF）、空心(xin)陰極高(gao)密度等離子(zi)體源(yuan)（HCD）、感(gan)應耦(ou)合等離子(zi)體源(yuan)(ICP)或微波等離子(zi)體源(yuan), VHF（甚(shen)高(gao)頻(pin)(pin)）電源(yuan)
襯(chen)體(ti)直徑:最大12” (300 mm)直徑
帶(dai)RF偏(pian)壓的(de)襯(chen)底托；
加熱溫度:最(zui)高800°C；
最高可達8路MFC和多樣化的(de)氣體選擇；
均勻性：≤±3%；
預抽真空室和自動晶片裝卸門；
全自動控(kong)制；

應用領域(yu)：
等離子誘導(dao)表面(mian)改性；
等離(li)子(zi)清洗；
等(deng)離子聚(ju)合；
SiO2, Si3N4, DLC及(ji)其它薄(bo)膜(mo)；
碳(tan)納米管(CNT)的選(xuan)擇(ze)性生(sheng)長。